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Tensión directa: 650 V
Tensión inversa: 650 V
... Reducción de la pérdida de conmutación, lo que permite conmutar a alta velocidad . (encapsulado de 4 patillas) Certificación AEC-Q101 Baja tensión directa Tiempo/corriente de recuperación insignificantes Comportamiento de conmutación ...
ROHM Semiconductor
Tensión directa: 150 V
Tensión inversa: 150 V
... RB058L150DD es el diodo de barrera Schottky de alta fiabilidad para automoción, adecuado para rectificación general. Características: Alta fiabilidad Tipo de molde de pequeña potencia Súper bajo IR ...
ROHM Semiconductor
Tensión directa: 60 V
Tensión inversa: 60 V
... Los diodos de barrera schottky de ROHM son de baja VF, baja IR y alta resistencia ESD, adecuados para PC, teléfonos móviles y diversos aparatos electrónicos portátiles. Características: ・ Tipo de molde de pequeña potencia.(PMDS) alta ...
ROHM Semiconductor
Tensión directa: 30 V
Tensión inversa: 30 V
... El RBR1VWM30ATF es un diodo de barrera schottky de baja VF y alta fiabilidad, adecuado para rectificación general. Características: Alta fiabilidad Tipo de molde de pequeña potencia Bajo VF ...
ROHM Semiconductor
Tensión directa: 40 V
Tensión inversa: 40 V
... Los diodos de barrera schottky de ROHM tienen un bajo VF, un bajo IR y una alta resistencia a la ESD, y son adecuados para el PC, el teléfono móvil y varios aparatos electrónicos portátiles. tipo de molde de pequeña ...
ROHM Semiconductor
Tensión directa: 40 V
Tensión inversa: 40 V
... Los diodos de barrera schottky de ROHM son de baja VF, baja IR y alta resistencia ESD, adecuados para PC, teléfonos móviles y diversos aparatos electrónicos portátiles. Características: ・Pequeño, tipo molde de potencia.(PMDS) ・Tipo ...
ROHM Semiconductor
Tensión directa: 30 V
Tensión inversa: 30 V
... Los diodos de barrera schottky de ROHM son de baja VF, baja IR y alta resistencia ESD, adecuados para PC, teléfonos móviles y diversos aparatos electrónicos portátiles. CARACTERÍSTICAS -Pequeño, tipo molde de potencia ...
ROHM Semiconductor
Tensión directa: 40 V
Tensión inversa: 40 V
... El RBR1VWM40ATF es un diodo de barrera schottky de baja VF y alta fiabilidad, adecuado para rectificación general. Características: Alta fiabilidad Tipo de molde de pequeña potencia Bajo VF ...
ROHM Semiconductor
Tensión directa: 60 V
Tensión inversa: 60 V
... El RBR1VWM60ATF es un diodo de barrera schottky de baja VF y alta fiabilidad, adecuado para la rectificación general. ...
ROHM Semiconductor
Tensión directa: 100 V
Tensión inversa: 100 V
... El RBLQ3LAM10TF es un diodo de barrera Schottky de alta eficiencia que está diseñado para mejorar el equilibrio entre un bajo VF y un bajo IR. Mientras que su bajo VF logra un funcionamiento estable a altas temperaturas. ...
ROHM Semiconductor
Tensión inversa: 45, 100, 150, 200 V
... 175°C Funcionamiento TJ Módulo de toma central Baja caída de tensión directa Anillo de protección para una mayor robustez y fiabilidad a largo plazo Sin plomo (Pb) Diseñado y homologado para uso industrial Aplicaciones ...
Nell Power Semiconductor Co. Ltd.
Tensión inversa: 45, 100, 150, 200 V
... 175°C Funcionamiento TJ Módulo de toma central Baja caída de tensión directa Anillo de protección para una mayor robustez y fiabilidad a largo plazo Sin plomo (Pb) Diseñado y homologado para uso industrial Aplicaciones ...
Nell Power Semiconductor Co. Ltd.
Tensión directa: 2,6 V
Tensión inversa: 600 V
... DESCRIPCIÓN RFR30F60PN es un diodo de recuperación súper rápido, fabricado con tecnología epitaxial planar de silicio avanzada. El parámetro del proceso y la estructura del dispositivo están afinados con un rendimiento ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Tensión directa: 0,9 V
Tensión inversa: 300 V
... DESCRIPCIÓN GENERAL RFR60F30APN es un diodo de recuperación ultrarrápida, fabricado con tecnología epitaxial planar de silicio avanzada. El parámetro del proceso y la estructura del dispositivo están afinados con un rendimiento ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Tensión directa: 1, 1,15 V
Tensión inversa: 400 V
... Característica: Recuperación ultrarrápida temperatura de unión operativa de 175°C Funcionamiento a alta frecuencia Baja pérdida de potencia, menos RFI y EMI Bajo valor IR Alta capacidad de sobrecarga Construcción de chip epitaxial ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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