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Corriente: 8 A
Tensión: 1.700 V
... QC962-8A es un controlador de IGBT híbrido integrado. Su función principal es recibir la señal de onda cuadrada del controlador, y convertirla en una señal gâte aislada y amplificada que Controla el ciclo de encendido ...
Corriente: 8 A
Tensión: -9 V - 15 V
... fallos Tiempo de desconexión suave de protección ajustable Encapsulado SIP IGBT adaptado IGBT serie 600V (corriente ≤600A) IGBT serie 1.200 V (corriente ≤400 A) IGBT ...
Tensión: 1.700, 2.500, 4.500 V
... Diseñados con la tecnología patentada XPT™ de oblea delgada y el proceso IGBT más avanzado, estos dispositivos presentan cualidades como una resistencia térmica reducida, baja corriente de cola, baja pérdida de energía ...
Corriente: 600 A
Tensión: 1.200 V
... Los módulos IGBT de Littelfuse ofrecen la alta eficiencia y las rápidas velocidades de conmutación de la moderna tecnología IGBT en un formato robusto y flexible. Utilizados para aplicaciones de control ...
... Toshiba ofrece una amplia gama de transistores bipolares adecuados para diversas aplicaciones, incluidos dispositivos de radiofrecuencia (RF) y de alimentación eléctrica. ...
Corriente: 28 A
Tensión: 650 V
... El IGBT TRENCHSTOP™ 5 S5 de conmutación dura en un encapsulado TO-220 de tamaño reducido se dirige a aplicaciones que conmutan entre 10 kHz y 40 kHz para ofrecer alta densidad de corriente, alta eficiencia, ciclos de ...
Infineon Technologies AG
... Enchufe Dvice de Alta Corriente Alta temperatura ℃ 5.paso de 45 mm Ángulo recto Baja emisión de gases Se trata de un zócalo que puede corresponder a la disposición de placas de circuito impreso con restricciones de altura girando el ...
JC CHERRY INC.
... Tomas para IC de potencia Tipo estándar Simple en línea ●Cómo hacer un pedido ex: PDSA-1076-Sxx-GG x:Número de posiciones de 2 a 16 Rigidez dieléctrica - Resistencia de aislamiento - - Temperatura de funcionamiento EX.) PDSA-1076-Sxx-GG x ...
JC CHERRY INC.
... Zócalo de tamaño medio para IC de potencia Tipo agujero pasante Estilo dual 2.54mm / 0.100" Paso ●Cómo hacer un pedido ex: PDSP-CM1-Dxx-GG x: Número de posiciones 04,12,20 (Número par) *Si desea otro número de posiciones, póngase ...
JC CHERRY INC.
Corriente: 0,8 A
Tensión: 50 V
... Ganancia de corriente DC hFE Máx.:400 Ganancia de corriente continua hFE mín.:160 Descripción:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor bipolar CI (A):0,8 PD (W):0,625 Paquete:TO-92 Polaridad: NPN Estado:Activo TJ ...
Corriente: 15 A
Tensión: 140 V
... Transistor bipolar de potencia NPN Los MJ15001 y MJ15002 son transistores de potencia diseñados para audio de alta potencia, posicionadores de cabezales de disco y otras aplicaciones ...
Fairchild Semiconductor
Corriente: 20 A
Tensión: 650 V
... Pérdida de conmutación reducida, lo que permite la conmutación de alta velocidad . (paquete de 2 pines) Calificación AEC-Q101 Menor tiempo de recuperación Conmutación de alta velocidad posible Menor dependencia de la temperatura ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 24 A
Tensión: 1.700 V
... El dispositivo utiliza un colector difuso en tecnología planar que adopta una "estructura mejorada de alto voltaje" (EHVS1) desarrollada para adaptarse a las pantallas CRT de alta definición. La nueva serie de productos HD presenta una ...
STMicroelectronics
Corriente: 150 A - 3.600 A
Tensión: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
... Los módulos de potencia IGBT de Hitachi Energy están disponibles de 1700 a 6500 voltios como módulos IGBT sencillos, dobles / de pata de fase, de chopper y de diodo doble. Los módulos IGBT ...
Corriente: 3.000, 1.300, 2.000 A
Tensión: 4.500, 5.200 V
... prensa y diodos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de alta potencia en una avanzada carcasa modular que garantiza una presión de chip uniforme en pilas de múltiples dispositivos. Aunque ...
Tensión: 60 V
... DESCRIPCIÓN: El SEMICONDUCTOR CENTRAL BCV47 es un transistor de silicio NPN Darlington fabricado por el proceso planar epitaxial, moldeado con epoxi en un paquete de montaje superficial, diseñado para aplicaciones que ...
Central Semiconductor
SEMIKRON
Corriente: 10 A - 1.600 A
Tensión: 600 V - 1.700 V
... Greegoo ofrece módulos IGBT (transistores bipolares de puerta aislada) en diferentes topologías, intensidades y tensiones. Desde 15A hasta 1600A en clases de tensión de 600V a 1700V, ...
Corriente: 150 A
Tensión: 600 V
... Interruptores - de medio puente. Los módulos IGBT están alojados en una caja industrial estándar que facilita la integración del dispositivo en los equipos existentes. Los módulos IGBT (Transistor ...
Tensión: 20, 50 V
... Transistor MOSFET y NPN de canal N en un solo paquete Baja On-Resistencia Muy baja tensión de umbral de puerta, 1,0V máx Baja capacitancia de entrada Velocidad de conmutación rápida Baja Fuga de Entrada/Salida ...
Diodes Incorporated
Corriente: 25 mA
Tensión: 20 V
... Tensión Colector Emisor - Vceo 20 V Corriente continua de colector - Ic - 25 mA Polaridad - pol - NPN Disipación de potencia - Ptot - 0,200 W Temperatura de unión - Tjmax - 150 °C Ganancia de corriente continua - hfe - 85 - VcE - 10V ...
Diotec
Corriente: 10, 25 A
Tensión: 1.200 V
... Características -Tecnología IGBT Trench + Filed Stop -Capacidad de cortocircuito de 10ps -Versât) con coeficiente de temperatura positivo -Caja de baja inductancia -Recuperación inversa rápida y suave antiparalela FWD -Placa ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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