& encuentre a todos sus clientes en un solo lugar durante todo el año
Hacerse expositor
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
{{product.productLabel}} {{product.model}}
{{#if product.featureValues}}{{product.productPrice.formattedPrice}} {{#if product.productPrice.priceType === "PRICE_RANGE" }} - {{product.productPrice.formattedPriceMax}} {{/if}}
{{#each product.specData:i}}
{{name}}: {{value}}
{{#i!=(product.specData.length-1)}}
{{/end}}
{{/each}}
{{{product.idpText}}}
... Presenta PHEMT de ultra bajo nivel de ruido. El proceso está optimizado para ofrecer una cifra de ruido muy baja para estaciones base celulares/PCS críticas y otras aplicaciones de RF inalámbricas, alta consistencia de parte a parte y ...
Broadcom
... ATF-35143 es un PHEMT de alto rango dinámico y bajo ruido, alojado en un paquete de plástico de montaje superficial SC-70 de 4 derivaciones. ...
Broadcom
Broadcom
... DESCRIPCIÓN: El SEMICONDUCTOR CENTRAL CMPFJ175 y CMPFJ176 son JFETs de canal P moldeados con epoxi fabricado en un estuche SOT-23, diseñado para aplicaciones de amplificación de bajo nivel. CÓDIGOS DE MARCADO CMPFJ175: 6W CMPFJ176: 6X ...
Central Semiconductor
Tensión: 30 V
... DESCRIPCIÓN: El SEMICONDUCTOR CENTRAL CMPFJ175 y CMPFJ176 son JFETs de canal P moldeados con epoxi fabricado en un estuche SOT-23, diseñado para aplicaciones de amplificación de bajo nivel. CÓDIGOS DE MARCADO CMPFJ175: 6W CMPFJ176: 6X ...
Central Semiconductor
... Los HEMT de GaN, los FET de GaA, los MMIC y las soluciones HEMT de bajo ruido ofrecen un alto rendimiento y una fiabilidad sin concesiones para aplicaciones de radar, estaciones base, SATCOM, punto a punto y espaciales. ...
... Avago dispone de una amplia cartera de transistores bipolares de RF de silicio y FET de GaAs Los transistores FET RF de GaAs son ideales para la primera o segunda etapa ...
& encuentre a todos sus clientes en un solo lugar durante todo el año
Hacerse expositor
¿Cuáles?
Ayúdenos a mejorar:
caracteres restantes