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Transistores IGBT
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Corriente: 28 A
Tensión: 650 V
... El IGBT TRENCHSTOP™ 5 S5 de conmutación dura en un encapsulado TO-220 de tamaño reducido se dirige a aplicaciones que conmutan entre 10 kHz y 40 kHz para ofrecer alta densidad de corriente, alta eficiencia, ciclos de ...
Infineon Technologies AG

... disposición de los pines del zócalo, también puede utilizarse para la evaluación de semiconductores de potencia como IPM e IGBT. Posibilidad de medición Kelvin Capaz de seleccionar las especificaciones de cableado Soporta ...
JC CHERRY INC.

... disposición de las patillas del zócalo, también puede utilizarse para la evaluación de semiconductores de potencia como IPM e IGBT. Posibilidad de medición Kelvin Capaz de seleccionar las especificaciones de cableado Soporta ...
JC CHERRY INC.

... Tomas de transistor de potencia Paso Alta temperatura Baja desgasificación Tipo multipolar Contacto redondo de alta fiabilidad que proporciona un buen rendimiento eléctrico y mecánico. Las tomas de prueba para transistores ...
JC CHERRY INC.

Corriente: 5, 20, 30, 50 A
Tensión: 600 V
... El IGBT discreto Bourns® de la serie BID combina la tecnología de una puerta MOS y un transistor bipolar, creando el componente adecuado para aplicaciones de alta tensión y alta corriente. Este dispositivo ...

Corriente: 100 mA
Tensión: 45, 30, 65 mV
... Aplicaciones típicas Tratamiento de señales Conmutación Amplificación Grado comercial / industrial Sufijo -Q: Conforme a AEC-Q101 *) Sufijo -AQ: en cualificación AEC-Q101 *) Características Propósito general Tres grupos de ganancia ...

Corriente: 20 A - 300 A
Tensión: 1.200, 650 V
... Aplicaciones típicas Frecuencia de conmutación 80...100 kHz Convertidores de frecuencia Accionamientos de motores de CA y CC Grado comercial / industrial Sufijo -Q: En conformidad con AEC-Q101 1) Sufijo -AQ: en cualificación AEC-Q101 ...

Corriente: 800 A
Tensión: 1.200 V
... El NXH800H120L7QDSG es un módulo de potencia IGBT de medio puente nominal. Los IGBT integrados Field Stop Trench 7 y los diodos Gen. 7 proporcionan menores pérdidas de conducción y de conmutación, lo ...
Fairchild Semiconductor

Corriente: 8 A
Tensión: 1.700 V
... 8A es un controlador de IGBT híbrido integrado. Su función principal es recibir la señal de onda cuadrada del controlador, y convertirla en una señal gâte aislada y amplificada que Controla el ciclo de encendido y apagado ...
MORNSUN Guangzhou Science & Technology Co.,Ltd.

Corriente: 50 A
Tensión: 650 V
... La serie RGWxx65C es un IGBT de 650 V con un diodo de barrera schottky de SiC incorporado, que reduce la pérdida de conmutación en el encendido. Se trata de un producto que cumple la norma AEC-Q101. Puede utilizarse con ...
ROHM Semiconductor

Corriente: 8 A
Tensión: 600 V
... Este IGBT utiliza el avanzado proceso PowerMESH™ que da como resultado una excelente relación entre el rendimiento de conmutación y el bajo comportamiento en estado encendido. Todas las características Menor caída de ...
STMicroelectronics

Corriente: 150 A - 3.600 A
Tensión: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
... Los módulos de potencia IGBT de Hitachi Energy están disponibles de 1700 a 6500 voltios como módulos IGBT sencillos, dobles / de pata de fase, de chopper y de diodo doble. Los módulos IGBT ...

Corriente: 3.000, 1.300, 2.000 A
Tensión: 4.500, 5.200 V
... prensa y diodos de transistores bipolares de puerta aislada (IGBT) de alta potencia en una avanzada carcasa modular que garantiza una presión de chip uniforme en pilas de múltiples dispositivos. Aunque ...

SEMIKRON

Corriente: 150 A
Tensión: 600 V
... 600V. Interruptores - de medio puente. Los módulos IGBT están alojados en una caja industrial estándar que facilita la integración del dispositivo en los equipos existentes. Los módulos IGBT (Transistor ...

Corriente: 10 A - 1.600 A
Tensión: 600 V - 1.700 V
... Greegoo ofrece módulos IGBT (transistores bipolares de puerta aislada) en diferentes topologías, intensidades y tensiones. Desde 15A hasta 1600A en clases de tensión de 600V a 1700V, los módulos IGBT ...

Corriente: 10, 25 A
Tensión: 1.200 V
... Características -Tecnología IGBT Trench + Filed Stop -Capacidad de cortocircuito de 10ps -Versât) con coeficiente de temperatura positivo -Caja de baja inductancia -Recuperación inversa rápida y suave antiparalela FWD -Placa ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,

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