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Tensión: 1.700, 2.500, 4.500 V
... Diseñados con la tecnología patentada XPT™ de oblea delgada y el proceso IGBT más avanzado, estos dispositivos presentan cualidades como una resistencia térmica reducida, baja corriente de cola, baja pérdida de energía ...
... Toshiba ofrece una amplia gama de transistores bipolares adecuados para diversas aplicaciones, incluidos dispositivos de radiofrecuencia (RF) y de alimentación eléctrica. ...
Corriente: -16,4 A
Tensión: -60 V
... MOSFET de canal P en nivel normal y lógico, que reducen la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia OptiMOS™ MOSFETs de canal P 60V en encapsulado DPAK representa la nueva tecnología dirigida a ...
Infineon Technologies AG
Tensión: 7,5 V
... utilización de un amplio rango de frecuencias Protección ESD integrada Mejoras de estabilidad integradas Banda ancha: plena potencia en toda la banda Rendimiento térmico excepcional Robustez extrema Alta linealidad para: ...
... Tomas para IC de potencia Tipo estándar Simple en línea ●Cómo hacer un pedido ex: PDSA-1076-Sxx-GG x:Número de posiciones de 2 a 16 Rigidez dieléctrica - Resistencia de aislamiento - - Temperatura de funcionamiento EX.) ...
JC CHERRY INC.
... Zócalo de tamaño medio para IC de potencia Tipo agujero pasante Estilo dual 2.54mm / 0.100" Paso ●Cómo hacer un pedido ex: PDSP-CM1-Dxx-GG x: Número de posiciones 04,12,20 (Número par) *Si desea otro número de ...
JC CHERRY INC.
... Tomas de transistor de potencia Paso Alta temperatura Baja desgasificación Tipo multipolar Contacto redondo de alta fiabilidad que proporciona un buen rendimiento eléctrico y mecánico. Las tomas de ...
JC CHERRY INC.
Tensión: 110, 265 V
... Descripción TOPSwitch-HX incorpora un MOSFET de 700 V de potencia, fuente de corriente conmutada de alto voltaje, control PWM, oscilador, circuito de apagado térmico, protección contra fallas y otros circuitos de control ...
Power Integrations
Corriente: 800 A
Tensión: 1.200 V
... El NXH800H120L7QDSG es un módulo de potencia IGBT de medio puente nominal. Los IGBT integrados Field Stop Trench 7 y los diodos Gen. 7 proporcionan menores pérdidas de conducción y de ...
Fairchild Semiconductor
Corriente: 95 A
Tensión: 40 V
... El RH6G040BG es un MOSFET de potencia con baja resistencia de conexión y un paquete de alta potencia, adecuado para la conmutación. Baja resistencia de encendido Paquete de molde pequeño de alta potencia ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 0,4 A - 45 A
Tensión: 36 V - 70 V
... basados en la tecnología VIPower (potencia inteligente vertical). Esta tecnología patentada permite la integración de circuitos de control y protección digitales y analógicos completos que controlan un MOSFET de potencia ...
STMicroelectronics
Corriente: 150 A - 3.600 A
Tensión: 1.200, 1.700, 3.300, 4.500, 6.500 V
... Los módulos de potencia IGBT de Hitachi Energy están disponibles de 1700 a 6500 voltios como módulos IGBT sencillos, dobles / de pata de fase, de chopper y de diodo doble. Los módulos ...
Tensión: -400 V - 1.000 V
... Vishay es el fabricante número uno mundial de MOSFETs de baja potencia. La línea de productos MOSFET de Vishay Siliconix power incluye dispositivos en más de 30 tipos de paquetes, incluyendo las familias MICRO FOOT® y ...
Tensión: 45 V
... DESCRIPCIÓN: Los tipos de SEMICONDUCTOR CENTRAL BCX51, BCX52 y BCX53 son transistores de silicio PNP fabricado por el proceso planar epitaxial, moldeado con epoxi en un paquete de montaje superficial, diseñado para aplicaciones ...
Central Semiconductor
... Avago dispone de una amplia cartera de transistores bipolares de RF de silicio y FET de GaAs Los transistores FET RF de GaAs son ideales para la primera o segunda etapa de la estación base LNA debido ...
Corriente: 1 A - 5 A
Tensión: 12 V - 400 V
... mercado en el campo de los transistores bipolares. Utilizando su amplia gama de empaquetado interno y tecnología de silicio superior, Diodes está en una posición ideal para satisfacer sus necesidades de aplicación de ...
Corriente: 25 mA
Tensión: 20 V
... Tensión Colector Emisor - Vceo 20 V Corriente continua de colector - Ic - 25 mA Polaridad - pol - NPN Disipación de potencia - Ptot - 0,200 W Temperatura de unión - Tjmax - 150 °C Ganancia de corriente continua - hfe ...
Diotec
Corriente: 10, 25 A
Tensión: 1.200 V
... Características -Tecnología IGBT Trench + Filed Stop -Capacidad de cortocircuito de 10ps -Versât) con coeficiente de temperatura positivo -Caja de baja inductancia -Recuperación inversa rápida y suave antiparalela FWD -Placa ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Tensión: 8 V - 35 V
... y la distancia de comunicación es superior a 50m; Desde el controlador móvil del grupo electrógeno se puede controlar la potencia o despertar el controlador del grupo electrógeno; Amplio rango de suministro DC (8~35)V, ...
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