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... Toshiba ofrece una amplia gama de transistores bipolares adecuados para diversas aplicaciones, incluidos dispositivos de radiofrecuencia (RF) y de alimentación eléctrica. ...
Corriente: -16,4 A
Tensión: -60 V
... MOSFET de canal P en nivel normal y lógico, que reducen la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia OptiMOS™ MOSFETs de canal P 60V en encapsulado DPAK representa la nueva tecnología dirigida a aplicaciones de ...
Corriente: 1 A
Tensión: 800 V
... El R8001CND3FRA es un MOSFET de potencia con una baja resistencia de encendido y una rápida velocidad de conmutación gracias a la tecnología Super Junction. Se trata de un producto de alta fiabilidad de grado automotriz calificado según ...
ROHM Semiconductor
Corriente: -6 A
Tensión: -45 V
... El RSS060P05HZG es un MOSFET de grado automotriz que cuenta con la calificación AEC-Q101. Se incluye un MOSFET Pch -45V con diodo de protección ESD en el encapsulado SOP8. Ideal para aplicaciones de conmutación. Baja resistencia de encendido Encapsulado ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 9,5 A
Tensión: 45 V
... El RSS095N05HZG es un MOSFET de grado automotriz que cuenta con la calificación AEC-Q101. Se incluye un MOSFET Nch 45V con diodo de protección ESD en el encapsulado SOP8. Ideal para aplicaciones de conmutación. Baja resistencia de encendido Encapsulado ...
ROHM Semiconductor
Corriente: -9 A
Tensión: -30 V
... El RRS090P03HZG es un mosfet de potencia para fuentes de alimentación conmutadas. Baja resistencia de encendido Paquete de montaje superficial pequeño (SOP8) Revestimiento de plomo sin Pb; cumple con RoHS Libre de halógenos Revestimiento ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 3 A
Tensión: 80 V
... RSQ030N08HZG es un MOSFET para aplicaciones de conmutación. Se trata de un producto de alta fiabilidad de grado automotriz calificado según AEC-Q101. Baja resistencia de encendido Diodo de protección G-S incorporado Encapsulado de montaje ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 4 A
Tensión: 20 V
... El RUR040N02HZG es un MOSFET para aplicaciones de conmutación. Se trata de un producto de alta fiabilidad de grado automotriz calificado según AEC-Q101. 1.accionamiento de 5 V Baja resistencia de encendido Diodo de protección G-S incorporado Paquete ...
ROHM Semiconductor
Corriente: -3,5 A
Tensión: -20 V
... El RTQ035P02HZG es un MOSFET para aplicaciones de conmutación. Se trata de un producto de alta fiabilidad de grado automotriz calificado según AEC-Q101. Baja resistencia de encendido Diodo de protección G-S incorporado Encapsulado de ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 2 A
Tensión: 45 V
... El RTR020N05HZG es el MOSFET de automoción de alta fiabilidad, adecuado para aplicaciones de conmutación. Baja resistencia de encendido Diodo de protección G-S incorporado Encapsulado de montaje superficial pequeño para ahorrar espacio ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 2,5 A
Tensión: 30 V
... El RTR025N03HZG es un transistor de grado automotriz de alta fiabilidad, adecuado para aplicaciones de conmutación. Baja resistencia de encendido Diodo de protección G-S incorporado Encapsulado de montaje superficial ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 34 A
Tensión: 750 V
... Producto de grado automotriz calificado AEC-Q101. El SCT4045DRHR es un MOSFET de zanja de SiC (carburo de silicio). Sus características incluyen una alta resistencia a la tensión, una baja resistencia a la conexión y una rápida velocidad ...
ROHM Semiconductor
Corriente: 0,4 A - 45 A
Tensión: 36 V - 70 V
... 10 mΩ y 300 mΩ. Estos versátiles dispositivos abordan muchas aplicaciones de potencia en la electrónica de carrocería del automóvil, y están disponibles en una amplia variedad de encapsulados. ...
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