Amplificador RF HMC8412 series

microondasde potenciade tensión

Bajo nivel de ruido: 1.4 dB típico Alimentación positiva simple (auto polarizada) Alta ganancia: ≤15,5 dB típica Alto OIP3: ≤33 dBm típico Cumple con la normativa RoHS, 2 mm × 2 mm, LFCSP de 6 terminales HMC8412TCPZ-EP Admite aplicaciones de defensa y aeroespaciales (norma AQEC) Descargar la hoja de datos del HMC8412TCPZ-EP (pdf) Rango de temperatura militar (-55°C a +125°C) Línea de base de fabricación controlada 1 centro de montaje/prueba 1 centro de fabricación Notificación de cambios en el producto Datos de cualificación disponibles a petición V62/21602 Número de dibujo DSCC El HMC8412 es un circuito integrado de microondas monolítico (MMIC) de arseniuro de galio (GaAs), transistor pseudomórfico de alta movilidad de electrones (pHEMT), amplificador de banda ancha de bajo ruido que funciona de 0,4 GHz a 11 GHz. El HMC8412 proporciona una ganancia típica de 15,5 dB, un factor de ruido típico de 1,4 dB y una intercepción de tercer orden de salida (OIP3) típica de ≤33 dBm, requiriendo sólo 60 mA a partir de una tensión de alimentación de drenaje de 5 V. La potencia de salida saturada (PSAT) de ≤20,5 dBm típica permite que el amplificador de bajo ruido (LNA) funcione como controlador del oscilador local (LO) para muchos mezcladores balanceados, en fase y cuadratura (I/Q) o de rechazo de imagen de Analog Devices, Inc. El HMC8412 también cuenta con entradas y salidas adaptadas internamente a 50 Ω, lo que hace que el dispositivo sea ideal para aplicaciones de radio de microondas de alta capacidad basadas en tecnología de montaje en superficie (SMT). El HMC8412 está alojado en un LFCSP de 6 terminales de 2 mm × 2 mm que cumple la normativa RoHS. Instrumentos de prueba Telecomunicaciones Radar y comunicación militar Guerra electrónica Aeroespacial