Circuito de control puerta MOSFET LT4200
IGBTaisladode silicio

circuito de control puerta MOSFET
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Características

Especificaciones
MOSFET, IGBT, aislado, de silicio

Descripción

Permite la inserción segura de la placa en la placa base con corriente Amplio rango de tensión de funcionamiento: 2,9 V a 15 V Área de funcionamiento segura garantizada: 7.5W√s 1.MOSFET de 2mΩ con elemento de detección de corriente Salida del monitor de corriente de ±4% Umbral de límite de corriente ajustable Salida de monitorización de temperatura Protección contra sobretemperatura Temporizador de límite de corriente ajustable antes del fallo Salidas de alimentación buena y de fallo Control ajustable de la corriente de irrupción Protección precisa de subtensión y sobretensión de ±2,5% Disponible en un paquete QFN de 36 pines (5mm × 8mm) El LT4200 es una solución integrada para aplicaciones de intercambio en caliente que permite insertar y retirar de forma segura una placa de un backplane activo. La pieza integra un controlador de intercambio en caliente, un MOSFET de potencia y una resistencia de detección de corriente en un único encapsulado para aplicaciones de factor de forma pequeño. La zona de funcionamiento seguro del MOSFET está probada en producción y garantizada para las tensiones de las aplicaciones de intercambio en caliente. El LT4200 permite un funcionamiento continuo de 50 A a una temperatura ambiente de hasta 85 °C. Proporciona un control independiente de la corriente de irrupción y un límite de corriente de ±12% de precisión de 57A con foldback dependiente de la salida. El umbral de límite de corriente puede ajustarse dinámicamente mediante el pin ISET. Las características adicionales incluyen una salida de monitorización de corriente para la detección de corriente referenciada a tierra y una salida de monitorización de temperatura MOSFET. También se proporciona un límite térmico, una sobretensión, una subtensión y una supervisión de la potencia. Servidores de alta disponibilidad Unidades de estado sólido

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