Teléfono inteligente industrial inalámbrico MOB-EX-SAM-S24 series

WiFiBluetoothpara zona peligrosa

Todas las novedades de Atexxo Manufacturing, el Samsung Galaxy S24, ahora apto para su uso en ubicaciones peligrosas. Los teléfonos Galaxy S24 a prueba de explosiones han sido fabricados originalmente por Samsung y posteriormente convertidos y certificados de acuerdo con las directivas ATEX por Atexxo Manufacturing. Esto hace que el teléfono móvil sea apto para su uso seguro en ubicaciones con riesgo de explosión por gas/vapor de la zona 2, así como en ubicaciones con riesgo de explosión por polvo de la zona 22. ATEX Zona 2/22 es el equivalente europeo para EE.UU., NEC Clase 1 División 2 equipos. (C1D2), equipos de Clase 2 División 2 (C2D2). El cumplimiento de la normativa ATEX / EX se consigue mediante la modificación de la carcasa junto con el circuito eléctrico intrínsecamente seguro, lo que hace que los teléfonos inteligentes sean adecuados para un uso seguro en ubicaciones peligrosas. Se conservan todas las características del producto original. Incluso la identificación facial y el escáner de huellas dactilares pueden utilizarse de forma segura en ubicaciones peligrosas. Los Samsung Galaxy S24 ATEX vienen con una carcasa negra y están disponibles con 128 y 256 GB de memoria. Además de su uso seguro como smartphone EX, las versiones son excelentes para su uso como cámara de vídeo o de fotos intrínsecamente segura o escáner de código de barras con conexión Bluetooth, NFC y WIFI. Rentable y fácil de usar ATEX Zona 2/22 Samsung Galaxy S24 Ventajas: Mayor seguridad / Diseño intrínsecamente seguro Sistema operativo Android Carga inalámbrica Actualizaciones continuas del software de Samsung ATEX Zona 2 / Zona 22 Entrega rápida y en todo el mundo Autoinstalación de tarjeta Sim y E-Sim Información técnica Tensión: 100-240 voltios (cargador) Frecuencia: 50/60 Hz (cargador) Color: negro Dimensiones: 90x175x13mm Peso: 335g (S24 + Carcasa) ATEX: Certificado de evaluación de la unidad Zona 2, II 3G; ec ic IIC T4 Gc Zona 22 , II 3D; tc IIIB T135 °C Dc