Módulo de memoria DRAM DDR4
rápido

Módulo de memoria DRAM - DDR4 - ATP Electronics - rápido
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Características

Tipo
DRAM
Otras características
rápido
Memoria

4 GB, 8 GB, 16 GB, 32 GB, 128 GB

Descripción

La memoria industrial DDR de cuarta generación de ATP combina una velocidad de transferencia de datos de hasta 2666 MT/s y un consumo de energía de sólo 1,2 V para ofrecer un rendimiento más rápido con un mayor ahorro de energía que las tecnologías DRAM anteriores Como transición evolutiva de DDR3, DDR4 soporta características y funciones que son adecuadas para aumentar las capacidades de ancho de banda para soportar el crecimiento del tráfico en línea DDR4-2666 MT/s es la última generación de módulos DRAM rápidos y orientados al rendimiento optimizados para los últimos procesadores Intel® Xeon® Platinum, Gold, Silver y Bronze Scalable y los procesadores Intel® de octava generación Core™ i7/i5/i3. El aumento de la velocidad de la interfaz de 2400/MTs a 2666 MT/s amplifica el rendimiento máximo teórico en un 15% y da un impulso a las aplicaciones informáticas más críticas en sectores como las infraestructuras de telecomunicaciones, los sistemas de almacenamiento en red, los servidores de almacenamiento conectado a la red (NAS), los servidores de micro/nube y los sistemas empotrados como los PCs industriales. Características principales Densidad: 2 GB a 128 GB Mayor rendimiento y ancho de banda (hasta 3200 MT/s) Voltaje reducido para un mejor consumo de energía Proporciona una mayor fiabilidad, disponibilidad y capacidad de servicio (RAS) y mejora la integridad de los datos

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Catálogos

* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.