Para las células solares de silicio de nueva generación en las que la capa de SiNx se ha abierto por ablación láser, la línea de metalizado directo (DPL) de Meco puede metalizar una capa densa de Ni-Ag, Ni-Cu-Ag o Ni-Cu-Sn sobre emisores de alto valor óhmico. El resultado es un aumento de la eficiencia de hasta el 1% (abs.) y una enorme reducción de costes (US$/Wp), ya que no se necesita pasta de Ag para la metalización de la cara frontal.
Características principales
-Manipulación vertical del producto
-Bajo arrastre de productos químicos
-Diseño compacto de la máquina/fácil mantenimiento
-Proceso de metalizado en línea/alto tiempo de producción
-Mejora de la eficiencia: hasta un 1 % (abs.) con metalizado directo
-El coste de los materiales es hasta 0,05 US$/Wp inferior, ya que no se necesita más Ag para la metalización frontal
-Concepto de máquina probado (> 350 máquinas en la industria de semiconductores)
-Puesta en marcha del proceso por Meco
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