Transistor transistor bipolar de rejilla aislada BID series de conmutación
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Características
- Tipo
- transistor bipolar de rejilla aislada
- Tecnología
- de conmutación
- Corriente
5 A, 20 A, 30 A, 50 A
- Tensión
600 V
Descripción
El IGBT discreto Bourns® de la serie BID combina la tecnología de una puerta MOS y un transistor bipolar, creando el componente adecuado para aplicaciones de alta tensión y alta corriente. Este dispositivo utiliza la avanzada tecnología Trench-Gate Field-Stop que proporciona un mayor control de las características dinámicas, al tiempo que da como resultado una menor tensión de saturación colector-emisor (VCE(sat)) y menos pérdidas por conmutación. Además, esta estructura aumenta la robustez del dispositivo y proporciona una RTH más baja. La solución Bourns® IGBT es adecuada para aplicaciones SMPS, UPS y PFC.
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