Espectrómetro de masa SIMS 4550

de masas de iones secundariaspara la industria de los semiconductoresPMT

Perfilado de profundidad de adulterante de SIMS de cuádruplo y análisis de capa delgada en semiconductores El SIMS 4550 de CAMECA ofrece capacidades extendidas para el perfilado de profundidad ultra superficial, elementos traza y mediciones de composición de capas delgadas en Si, alto-k, SiGe y otros materiales compuestos como III-V para dispositivos ópticos. Alta resolución de profundidad y alto rendimiento Con las dimensiones cada vez más reducidas de los dispositivos, los perfiles de los implantes y el grosor de la capa de los semiconductores actuales suelen estar en el rango de 1-10 nm. El SIMS 4550 ha sido optimizado para abordar estos campos de aplicación al ofrecer haz primario de alta densidad de oxígeno y cesio con una energía de impacto programable desde 5 keV hasta menos de 150 eV. Flexibilidad El SIMS 4550 de CAMECA es una herramienta SIMS dinámica que ofrece flexibilidad total en condiciones de pulverización (ángulo de impacto, energía, especie). Con opciones dedicadas para la compensación de carga (pistola de electrones, láser) durante la pulverización de muestra, los materiales aislantes se pueden analizar fácilmente. El SIMS 4550 mide el espesor de la capa, la alineación, la brusquedad, la integridad, la uniformidad y la estequiometria. Los portamuestras pueden acomodar una variedad de muestras: piezas pequeñas de unos cuantos mm² hasta un tamaño de muestra de 100 mm de diámetro.