Módulo MOSFET de efecto de campo CMLM0575
de potenciadiodo Schottky

Módulo MOSFET de efecto de campo - CMLM0575      - Central Semiconductor - de potencia / diodo Schottky
Módulo MOSFET de efecto de campo - CMLM0575      - Central Semiconductor - de potencia / diodo Schottky
Módulo MOSFET de efecto de campo - CMLM0575      - Central Semiconductor - de potencia / diodo Schottky - imagen - 2
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Características

Tipo
de efecto de campo
Tecnología
de potencia
Otras características
diodo Schottky
Corriente

650 mA

Tensión

40 V

Descripción

DESCRIPCIÓN: El SEMICONDUCTOR CENTRAL CMLM0575 es un Multi Discreto Module™ que consiste en un único MOSFET de modo de realce de canal N y un diodo Schottky de baja FV empaquetado en una caja de montaje superficial SOT-563 que ahorra espacio. Este dispositivo está diseñado para aplicaciones de propósito general de pequeñas señales donde el tamaño y la eficiencia operativa son requisitos primordiales. CARACTERÍSTICAS: - MOSFET de alta corriente (ID=650mA) - Protección contra la ESD hasta 2kV - Bajo rDS(ON) MOSFET (275mΩ MAX @ VGS=2.5V) - Diodo Schottky de baja FV (0.47V MAX @ 0.5A) APLICACIONES: - Convertidores DC-DC - Convertidores de impulso - Controles de accionamiento del motor - Equipo portátil a batería

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Catálogos

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