Transistor NPN CTLM1034-M832D
de potenciade siliciodiodo Schottky

Transistor NPN - CTLM1034-M832D - Central Semiconductor - de potencia / de silicio / diodo Schottky
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Características

Tipo
NPN
Tecnología
de potencia
Otras características
de silicio, diodo Schottky
Corriente

1 A

Tensión

6 V, 25 V, 40 V

Descripción

DESCRIPCIÓN: El SEMICONDUCTOR CENTRAL CTLM1034-832D consiste en un transistor NPN de bajo VCE(SAT) y un rectificador Schottky de bajo VF. Empaquetado en una pequeña caja de montaje superficial de 3x2mm, térmicamente eficiente y sin plomo, está diseñado para aplicaciones en las que el tamaño pequeño, la eficiencia operativa y el bajo consumo de energía son los principales requisitos. Debido a su diseño de paquete sin plomo este es capaz de disipar hasta 4 veces la potencia de dispositivos similares en paquetes de montaje en superficie de tamaño comparable. CÓDIGO DE MARCADO: CFC APLICACIONES - Circuitos de conmutación - Convertidores DC / DC - Retroiluminación del LCD - Aplicaciones de equipos portátiles y de baterías, incluyendo teléfonos celulares, cámaras digitales, buscapersonas, PDAs, PCs portátiles, etc. CARACTERÍSTICAS - Dispositivo de doble chip - Transistor de alta corriente (1.0A) y rectificador Schottky - Transistor NPN de bajo VCE(SAT) (450mV @ IC=1.0A MAX) - Rectificador Schottky de baja FV (550mV @ 1.0A MAX) - Alta relación potencia/huella de 275mW por mm cuadrado (Disipación de potencia del paquete / Superficie del paquete) - Pequeño paquete de montaje de superficie sin plomo TLM 3x2mm - Dispositivo complementario: CTLM1074-M832D

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