MOSFET CDM22010-650

DESCRIPCIÓN: El SEMICONDUCTOR CENTRAL CDM22010-650 es un MOSFET de alta corriente, de 650 voltios y canal N de potencia, diseñado para aplicaciones de alto voltaje y rápida conmutación como la corrección del factor de potencia (PFC), iluminación e inversores de potencia. Este MOSFET combina la capacidad de alto voltaje con bajo rDS(ON), bajo voltaje de umbral y baja carga de puerta. CÓDIGO DE MARCADO: CDM10-650 APLICACIONES: - Corrección del factor de potencia - Los motores.. - Inversores de energía alternativa - Iluminación de estado sólido CARACTERÍSTICAS: - Capacidad de alto voltaje (VDS=650V) - Carga de puerta baja (Qgs=8.0nC) - Bajo rDS(ON) (0.88Ω)