-Tecnología CMOS de señal mixta VLSI de 35p
-Diseño propio del sistema en chip con múltiples DPI individuales
-Módulo de medición de energía de alta precisión en el chip para energías activas y reactivas
-Medición de alta precisión - soporta IEC 60687, IEC 61036, IEC 61268, IEC 62053-21 a 23
-2 entradas de canal de corriente I-A ADC de 16 bits de segundo orden con PGA incorporado (4 ganancias programables -4,8,16 y 32) + 1 canal de tensión
-Circuito lógico digital en el chip para indicación de dirección de energía positiva/negativa
-Error de energía activa < 0,1% en un rango dinámico de 1000:1
-Error de energía reactiva < 0,2% en un rango dinámico de 1000:1
-Módulos incorporados de medición de frecuencia, tensión RMS y corriente RMS
-Medición precisa de la energía reactiva hasta la 21ª armonía
-Circuito de control de la pantalla LCD de 4x32 o de 8x8 segmentos incorporado (circuito de control externo)
-Reloj de tiempo real calibrado digitalmente con salida de puise de segundos
-Incorpora un convertidor de frecuencia de temperatura que puede compensar la precisión de la medición de energía y el reloj de tiempo real de forma lineal según los diferentes segmentos
-Monitorización y compensación de la temperatura en el chip para los circuitos de medición, así como para el RTC
-circuito de modulación/demodulación de la comunicación del espectro para PLCC
-Controlador de LCD 4x32 incorporado o circuito de control de pantalla LED de 8x8 segmentos incorporado (circuito de control externo)
-Reloj de tiempo real calibrado digitalmente con salida de puise de segundos
-Incorpora un convertidor de frecuencia de temperatura que puede compensar la precisión de la medición de energía y el reloj de tiempo real de forma lineal según los diferentes segmentos
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