Microscopio electrónico de barrido de emisión de campo HEM6000
de laboratoriopara analizar materialespara semiconductor

Microscopio electrónico de barrido de emisión de campo - HEM6000 - CIQTEK Co., Ltd. - de laboratorio / para analizar materiales / para semiconductor
Microscopio electrónico de barrido de emisión de campo - HEM6000 - CIQTEK Co., Ltd. - de laboratorio / para analizar materiales / para semiconductor
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Características

Tipo
electrónico de barrido de emisión de campo
Aplicaciones técnicas
de laboratorio, para analizar materiales, para semiconductor, para geología
Ergonomía
recto
Técnica de observación
de campo claro
Configuración
de pie
Fuente de electrones
de emisión de campo Schottky
Concepción de la lente
de inmersión
Tipo de detector
in-lens SE, de electronos retrodispersados
Opciones y accesorios
asistido por ordenador
Otras características
de alta resolución, de amplio campo de visión y distancia de trabajo, automatizado, para semiconductor, de resolución ultra alta
Aumento

Máx.: 1.000.000 unit

Mín.: 66 unit

Resolución espacial

1,3 nm

Máx.: 1,5 nm

Mín.: 0,9 nm

Largo

1.716 mm
(67,6 in)

Ancho

1.235 mm
(48,6 in)

Descripción

Microscopio electrónico de barrido de alta velocidad para la obtención de imágenes a escala transversal de muestras de gran volumen CIQTEK HEM6000 cuenta con tecnologías como el cañón de electrones de corriente de haz largo y alto brillo, el sistema de desviación del haz de electrones de alta velocidad, la deceleración de la platina de muestra de alto voltaje, el eje óptico dinámico y la lente de objetivo combinada electromagnética y electrostática de inmersión para lograr una adquisición de imágenes de alta velocidad a la vez que se garantiza una resolución a escala nanométrica. El proceso de funcionamiento automatizado está diseñado para aplicaciones tales como un flujo de trabajo de obtención de imágenes de alta resolución de gran área más eficiente e inteligente. La velocidad de adquisición de imágenes puede llegar a ser más de 5 veces superior a la de un microscopio electrónico de barrido de emisión de campo (fesem) convencional. 1. Velocidad de adquisición de imágenes:10 ns/píxel,2*100 M píxel/s 2. Resolución:1,3 nm@3 kV, SE; 1,5 nm@1 kV, SE,0,9 nm@ 30 kV, STEM 3. Tensión de aceleración:0,1 kV~6 kV (modo de desaceleración),6 kV~30 kV (modo sin desaceleración) 4. Campo de visión:Máximo 1*1 mm2,alta resolución distorsión mínima 64*64 um2 5. Repetibilidad de la platina:X ±0,6 um,Y ±0,3 um 6. Sistema de filtrado de electrones de señal:SE/BSE conmutación sin señal, mezcla con relación ajustable 7. Sistema de desviación del haz de alta velocidad totalmente electrostático:Posibilidad de obtener imágenes de campo grande de alta resolución Máximo. Campo de visión de hasta 32um*32 um a 4 nm por píxel 8. Tecnología de desaceleración de la etapa de muestra:Reducción de la tensión de aterrizaje de electrones incidentes, lo que aumenta la eficiencia de captura de electrones de señal 9.Sistema de desviación del haz de la lente del objetivo de inmersión combinada electromagnética y electrostática:El campo magnético de la lente del objetivo sumerge la muestra, lo que contribuye a la obtención de imágenes de alta resolución con baja aberración

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* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.