Transistor MOSFET y NPN de canal N en un solo paquete
Baja On-Resistencia
Muy baja tensión de umbral de puerta, 1,0V máx
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
Baja Fuga de Entrada/Salida
Paquete de montaje superficial ultrapequeño
Libre de plomo, halógenos y antimonio, conforme a RoHS (Nota 2)
Puerta MOSFET protegida contra ESD de hasta 2kV
Dispositivo "verde" (Nota 3)
Calificado según las normas AEC-Q101 para Alta Fiabilidad
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