Módulo MOSFET de efecto de campo DMG, DMS series
de potenciadiodo Schottky

Módulo MOSFET de efecto de campo - DMG, DMS series - Diodes Incorporated - de potencia / diodo Schottky
Módulo MOSFET de efecto de campo - DMG, DMS series - Diodes Incorporated - de potencia / diodo Schottky
Módulo MOSFET de efecto de campo - DMG, DMS series - Diodes Incorporated - de potencia / diodo Schottky - imagen - 2
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Características

Tipo
de efecto de campo
Tecnología
de potencia
Otras características
diodo Schottky
Corriente

Máx.: 12,7 A

Mín.: 7 A

Tensión

30 V

Descripción

DIOFET es un proceso patentado que integra monolíticamente un MOSFET de potencia con un diodo Schottky en un solo chip de silicio. El Schottky integrado reduce la caída de tensión hacia delante del diodo del cuerpo en casi un 50% y también tiene una carga de recuperación inversa más baja. En la aplicación, esto significa que las pérdidas de conducción y de conmutación se reducen, y en general el circuito operará a una mayor eficiencia con una temperatura de funcionamiento reducida. Además, el DIOFET es un proceso resistente a avalanchas y los dispositivos tienen una baja relación de capacitancia de compuerta para reducir el riesgo de corrientes de disparo. El DIOFET es muy adecuado para convertidores DC-DC de punto de carga (PoL) utilizados en informática, telecomunicaciones y aplicaciones industriales, incluyendo: Portátiles, Netbooks y Notebooks Set-top boxes Servidores y ordenadores de sobremesa Equipos de telecomunicación

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Catálogos

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