El Sistema de Activación por Plasma EVG810LT LowTemp™ es una unidad autónoma de una sola cámara con funcionamiento manual. La cámara de proceso permite procesos ex situ (las obleas se activan una a una y se enlazan fuera de la cámara de activación de plasma).
Características
Activación de plasma superficial para unión a baja temperatura (fusión/molecular y unión de capas intermedias)
La cinética más rápida de cualquier mecanismo de unión de obleas
No se requieren procesos húmedos
Máxima fuerza de adherencia a baja temperatura de recocido (hasta 400°C)
Aplicable para SOI, MEMC, semiconductores compuestos y adhesión de sustratos avanzados
Alto grado de compatibilidad de materiales (incluyendo CMOS)
Datos técnicos
Diámetro de la oblea (tamaño del sustrato)
50 - 200, 100 - 300 mm
LowTemp™ Cámara de activación de plasma
Gases de proceso: 2 gases de proceso estándar (N2 y O2)
Regulador de caudal másico universal: autocalibrable (hasta 20.000 sccm)
Sistema de vacío: 9x10-2 mbar
Apertura / cierre de la cámara: automático
Carga / descarga de la cámara: manual (oblea / sustrato colocado en los pernos de carga)
Características opcionales
Mandril para diferentes tamaños de obleas
Activación sin iones metálicos
Gases de proceso adicionales con mezcla de gases
Sistema de alto vacío con bomba turbo: 9x10-3 mbar presión en la base
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