Sistema de litografía láser EVG®770 NT

Sistema de litografía de nanoimpresión por pasos y repeticiones Litografía de nanoimpresión por pasos y repeticiones para la fabricación eficiente de patrones El EVG770 NT es una plataforma versátil para la litografía de nanoimpresión de paso y repetición (S&R) para la fabricación eficiente de patrones o la creación directa de patrones de estructuras complejas en sustratos. Este enfoque permite la replicación uniforme de plantillas a partir de pequeñas matrices de hasta 30 cm². El proceso de S&R permite replicar esas matrices varias veces en grandes áreas hasta en sustratos del tamaño de un panel Gen2. En combinación con los métodos de torneado de diamante o de escritura directa, la impresión S&R se utiliza con frecuencia para fabricar eficazmente los patrones necesarios para la fabricación de ópticas a nivel de oblea o el proceso SmartNIL de EVG. Por lo tanto, suele ser un requisito previo crucial para la fabricación de grandes volúmenes de guías de onda de realidad aumentada, sensores ópticos, óptica difractiva, metasuperficies o dispositivos biomédicos. Entre las principales características de la EVG770 NT se encuentran la capacidad de alineación precisa, el control total del proceso y la flexibilidad para abordar los requisitos del proceso de una amplia variedad de estructuras y materiales. Fabricación maestra de alta calidad de microlentes para óptica a nivel de oblea hasta nanoestructuras para SmartNIL® Escalado eficiente a grandes tamaños de sustrato hasta el tamaño de panel Implementación sencilla de diferentes tipos de patrones Modos de dispensación de resistencias variables Imagen en directo durante la dispensación, la impresión y el desmoldeo Control de la fuerza in situ para la impresión y el desmoldeo Control de la distancia óptica y medición de la separación en vivo Metrología en línea opcional Tampón de estampación opcional e intercambio automático Manipulación automatizada de casete a casete opcional 80 mm, 4", 6", 8", 12", Gen2 (370 mm x 470 mm) < +/- 1 µm < +/- 250 nm