La familia SRAM serie de ON Semiconductor incluye varios dispositivos de memoria integrados, entre ellos esta memoria estática de acceso aleatorio de 1Mb, organizada internamente como 128 K palabras por 8 bits. Los dispositivos están diseñados y fabricados utilizando la avanzada tecnología CMOS de ON Semiconductor para proporcionar un rendimiento de alta velocidad y bajo consumo. Los dispositivos funcionan con una única entrada de selección de chip (CS) y utilizan un sencillo protocolo de interfaz periférica serie (SPI). En modo SPI, se utiliza una única línea de entrada de datos (SI) y salida de datos (SO) junto con el reloj (SCK) para acceder a los datos del dispositivo. En modo DUAL, se utilizan dos líneas multiplexadas de entrada/salida de datos (SIO0-SIO1) y en modo QUAD, se utilizan cuatro líneas multiplexadas de entrada/salida de datos (SIO0-SIO3) junto con el reloj para acceder a la memoria.Los dispositivos pueden funcionar en un amplio rango de temperaturas de -40°C a +85°C y están disponibles en un encapsulado TSSOP de 8 terminales.
Productos finales
Monitor de paciente
Medidor inteligente
Dispositivo de monitorización cardiaca
Grabadora de eventos
Sistema de alarma
Interfaz MP3 para automóviles
Dispositivo de control médico
Controlador de juegos
Búfer de cámara IP
Cargador de batería
Sistema receptor láser
Seguimiento de delincuentes por GPS
Controlador lógico programable
Radio IP
Características
Rango de alimentación: 1.7 a 2,2 V
Corriente de espera típica muy baja: <1 µA
Corriente de funcionamiento muy baja < 10 mA
Interfaz serie sencilla:
- Acceso SPI de un bit
- Acceso tipo SPI de doble y cuádruple bit
Modos de funcionamiento flexibles: modo palabra, modo página, modo ráfaga (matriz completa)
Operación de lectura y escritura de alta frecuencia
- Frecuencia de reloj 20 MHz
Protección contra escritura integrada (CS alto)
Alta fiabilidad - Ciclos de escritura ilimitados
Estos dispositivos no contienen Pb y cumplen la directiva RoHS - TSSOP verde
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