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Módulo de transistor IGBT NXH800H120L7QDSGde potenciade conmutación
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Características
- Tipo
- IGBT
- Tecnología
- de conmutación, de potencia
- Corriente
800 A
- Tensión
1.200 V
Descripción
El NXH800H120L7QDSG es un módulo de potencia IGBT de medio puente nominal. Los IGBT integrados Field Stop Trench 7 y los diodos Gen. 7 proporcionan menores pérdidas de conducción y de conmutación, lo que permite a los diseñadores lograr una alta eficiencia y una fiabilidad superior.
Aplicaciones
Conversión CC-CA
Conversión CC-CC
Conversión CA-CC
Productos finales
Sistemas de almacenamiento de energía
Inversores solares
Accionamientos de motor
Sistemas de alimentación ininterrumpida (SAI)
Características
IGBTs y diodos Gen.7 de parada en campo
módulo de alimentación IGBT con configuración de medio puente 2 en 1
Placa base aislada
Termistor NTC
Pines soldables
Disposición de baja inductividad
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Catálogos
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