Módulo de transistor IGBT SNXH800H120L7QDSG
de potenciade conmutación

Módulo de transistor IGBT - SNXH800H120L7QDSG - Fairchild Semiconductor - de potencia / de conmutación
Módulo de transistor IGBT - SNXH800H120L7QDSG - Fairchild Semiconductor - de potencia / de conmutación
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Características

Tipo
IGBT
Tecnología
de conmutación, de potencia
Corriente

800 A

Tensión

1.200 V

Descripción

El SNXH800H120L7QDSG es un módulo de potencia IGBT de medio puente nominal. Los IGBT integrados Field Stop Trench 7 y los diodos Gen. 7 proporcionan menores pérdidas de conducción y de conmutación, lo que permite a los diseñadores lograr una alta eficiencia y una fiabilidad superior. Aplicaciones Conversión CC-CA Conversión CC-CC Conversión CA-CC Productos finales Vehículos agrícolas comerciales (CAV) Características IGBTs y diodos Gen.7 Field Stop Trench 7 módulo de potencia IGBT con configuración de medio puente 2 en 1 Placa base aislada Termistor NTC Pines soldables Disposición de baja inductividad

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