El láser de picosegundos ultravioleta se utiliza para el semicorte de precisión o el corte completo de obleas de silicio y semiconductores compuestos.
- Alta calidad
La anchura de la línea de corte es estrecha (tomando como ejemplo la colimación ultravioleta, anchura de la línea de corte + HAZ ≤ 20 ± 5 μ m) Pequeño colapso del borde (≤ 10 μ m)
- Alta eficiencia
UPH ≥ 10 (galvanómetro UV: tome como ejemplo la oblea de diodo de silicio de doble mesa de 3 pulgadas, incluido el tiempo de alineación automática)
- Buena estabilidad
El láser tiene alta estabilidad de pulso (≤ 2% RMS) y alta calidad del haz (M ² ≤1,2)
Visualización de la muestra:
Frente de corte - láser de oblea de diodo de doble mesa de 3 pulgadas de corte completo; Tamaño del grano: 300 * 300 μm, Espesor de la oblea 130 μm, Espesor del canal de corte 30 μm.
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