Sonda antirrobo |Z| Probe® Power

de reflexión

La demanda de acceso a contenidos ricos en cualquier parte del mundo está impulsando el crecimiento de la transmisión inalámbrica de información. Esto aumenta la necesidad de dispositivos de potencia de RF en los sistemas inalámbricos y de nuevas tecnologías como el GaN y el SiC. Esto, a su vez, hace necesaria la caracterización de estas nuevas tecnologías a nivel de oblea, lo que reduce considerablemente el tiempo necesario para desarrollar nuevos modelos. Estos modelos se utilizan en los nuevos diseños de dispositivos, que luego se implementan en los sistemas de transmisión inalámbrica (estaciones base, satélites, etc.) para satisfacer las demandas del consumidor ávido de contenidos. Para proporcionar una caracterización altamente precisa de los dispositivos de potencia de RF a nivel de oblea, el |Z| Probe® Power, basado en la tecnología probada de |Z| Probe, maneja alta potencia a altas frecuencias (hasta 40 GHz). La Sonda Power Z proporciona una excelente repetibilidad de contacto y una resistencia de contacto extremadamente baja para ofrecer resultados precisos en configuraciones de medición de tracción de carga, que son típicas para la caracterización de dispositivos de potencia de RF. Dado que la pérdida de inserción debe mantenerse baja en las mediciones de carga-tracción y de parámetros de ruido para asegurar un alto coeficiente de reflexión (Γ), la sonda |Z| Probe Power ha sido diseñada para proporcionar una pérdida de inserción extremadamente baja. Esto significa que se obtienen mediciones más precisas, especialmente en impedancias que no son de 50 Ω.