Detector de potencia láser fotodiodo PH100-SI-HA-OD1-D0

detector de potencia láser fotodiodo
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Características

Especificaciones
fotodiodo

Descripción

GRANDES ABERTURAS 10 mm Ø para los sensores de silicio 3 VERSIONES - Silicio 350 - 1080 nm, hasta 750 mW - Silicio-UV 210 - 1080 nm, hasta 38 mW - Germanio 800 - 1650 nm, hasta 500 mW ELECCIÓN DE ATENUADORES - OD0.3: 50% de transmisión (sólo para PH100-SIUV) - OD1: 10% de transmisión - OD2: 1% de transmisión ALTA PRECISIÓN El nuevo PH100-SI-HA presenta la incertidumbre de calibración más baja hasta la fecha. CALIBRACIÓN PRECISA Selección de longitud de onda en pasos de 1 nm INTERFAZ INTELIGENTE Contiene todos los datos de calibración CAPACIDADES DE MEDICIÓN Potencia media máxima1 300 mW Potencia equivalente de ruido2 200 pW Gama espectral 400 - 1080 nm Tiempo de subida típico 0.2 s Incertidumbre de calibración de potencia3 ±5,0 % (400 - 419 nm) ±4,0 % (420 - 899 nm) ±5,0 % (900 - 1009 nm) ±7,5 % (1010 - 1080 nm) Sensibilidad máxima 980 nm Velocidad de repetición mínima4 155 kHz 1. A 1064 nm, con atenuador. Consulte las curvas de potencia máxima en otras longitudes de onda. 2. A 980 nm. Valor nominal. El valor real depende de las interferencias electromagnéticas del entorno y de la longitud de onda. 3. Con atenuador. Consulte el manual del usuario para conocer la incertidumbre de calibración sin atenuador. 4. Consulte el manual del usuario para más detalles.

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* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.