Fotodiodo de silicio S14124-20
avalancha

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Características

Especificaciones
avalancha, de silicio

Descripción

APD de Si de alta sensibilidad para la detección de luz con una longitud de onda de 266 nm El S14124-20 es un APD de Si mejorado de la serie S8664 para la detección de alta sensibilidad de la luz con una longitud de onda de 266 nm utilizada en la inspección de semiconductores y en los equipos de procesamiento láser. Hemos logrado una eficiencia cuántica del 87% a λ=266 nm. Características - Alta sensibilidad, eficiencia cuántica: 87% (λ=266 nm) - Baja capacitancia - Bajo ruido - Alta ganancia Especificaciones Tipo : Tipo de longitud de onda corta (baja capacitancia de los terminales) Área fotosensible : φ2.0 mm Embalaje : Metal Categoría de embalaje: TO-8 Longitud de onda de máxima sensibilidad (típica) : 600 nm Corriente oscura (máx.) : 10 nA Frecuencia de corte (típica) : 250 MHz Capacidad de los terminales (típica) : 11 pF Tensión de ruptura (típ.) : 400 V Coeficiente de temperatura de la tensión de ruptura (tipo) : 0,78 V/℃ Ganancia (typ.) : 400 Condición de medición : Típico. Ta=25 ℃, salvo indicación contraria

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Catálogos

* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.