Fotodiodo InGaAs G14858-0020AA
avalancha

fotodiodo InGaAs
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Características

Especificaciones
InGaAs, avalancha

Descripción

APD de InGaAs que reduce en gran medida la corriente oscura Este APD (fotodiodo de avalancha) de InGaAs reduce en gran medida la corriente oscura con respecto a los productos existentes mediante el uso de una nueva estructura de dispositivo y un procesamiento mejorado. El G14858-0020AA se utiliza para la medición de distancias, la detección con poca luz, etc. Características - Baja corriente oscura - Baja capacitancia - Alta sensibilidad Especificaciones Número de elementos : 1 Área fotosensible : φ0,2 mm Embalaje : Metal Categoría de embalaje : TO-18 Rango de respuesta espectral : 950 a 1700 nm Longitud de onda de máxima sensibilidad (típica): 1550 nm Fotosensibilidad (típica): 0,8 A/W Corriente oscura (máx.) : 50 nA Frecuencia de corte (típica) : 900 MHz Capacidad de los terminales (típica) : 2 pF Tensión de ruptura (típ.) : 65 V Coeficiente de temperatura de la tensión de ruptura (típ.) : 0,1 V/℃ Condiciones de medición : Ta=25℃, Fotosensibilidad: λ=1,55 μm, M=1

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Catálogos

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