Fotodiodo PIN S14536 series

de silicio

Detectores de Si para partículas de alta energía La serie S14536 son fotodiodos de gran superficie diseñados específicamente para la detección directa de partículas cargadas de alta energía y rayos X. Estos detectores se montan en una placa de PC con una abertura para la detección ΔE/E de partículas cargadas y rayos X. Características -Gran superficie -Baja corriente oscura -Alta tolerancia a la tensión S14536-320 Especificaciones Área fotosensible - 48 × 48 mm Espesor del chip - 320 ± 15 μm Espesor de la capa muerta (lado frontal) - 1,5 μm Espesor de la capa muerta (cara posterior) - 20 μm Tensión de agotamiento total máx. - 100 V Corriente oscura máx. - 100 nA Frecuencia de corte - 3 MHz Capacidad de los terminales - 860 pF S14536-500 Especificaciones Área fotosensible : 48 × 48 mm Espesor del chip : 500 ± 15 μm Espesor de la capa muerta (lado frontal) : 1,5 μm Espesor de la capa muerta (cara posterior) : 20 μm Tensión de agotamiento máximo: 170 V Corriente oscura máxima: 200 nA Frecuencia de corte : 5 MHz Capacidad de los terminales: 550 pF