Fotodiodo de infrarrojos S15137

PIN

Fotodiodo de Si para fotometría del visible al infrarrojo El S15137 es un fotodiodo PIN de Si desarrollado para láseres YAG (1,06 µm). La fotosensibilidad a 1,06 µm es de 0,52 A/W (típicamente), que es aproximadamente 1,5 veces superior a la de los productos anteriores. La estructura PIN permite una respuesta de alta velocidad y una baja capacitancia. El área fotosensible es tan grande como φ5 mm, lo que facilita la alineación del eje óptico. Características -Alta sensibilidad en la región infrarroja: 0,52 A/W (λ=1,06 µm) -Respuesta de alta velocidad: tr=12,5 ns (VR=100 V) -Baja capacitancia: Ct=10 pF (VR=100 V) -Gran área fotosensible: φ5 mm -Alta fiabilidad: Encapsulado metálico TO-8 Especificaciones Área fotosensible : φ5.0 mm Número de elementos : 1 Envase : Metal Categoría de embalaje : TO-8 Refrigeración : No refrigerado Tensión inversa (máx.) : 150 V Rango de respuesta espectral : 360 a 1120 nm Longitud de onda de máxima sensibilidad (típica) : 1000 nm Fotosensibilidad (típica) : 0,52 A/W Corriente oscura (máx.) : 10000 pA Tiempo de subida (típico) : 0,0125 μs Capacidad de los terminales (típica) : 10 pF Condiciones de medición : Ta=25 ℃, Típico, Fotosensibilidad: λ=1060 nm, Corriente oscura: VR=100 V, Tiempo de subida: VR=100 V, RL=50 Ω, λ=1060 nm, 10 ～ 90%, Capacidad de los terminales: VR=100 V, f=10 kHz, a menos que se indique lo contrario