El microscopio de emisión invertido es un sistema de análisis de la cara posterior diseñado para identificar las ubicaciones de los fallos mediante la detección de la luz y el calor emitidos por los defectos de los dispositivos semiconductores.
La detección de la señal de la parte trasera facilita el uso de la tarjeta de sondeo y de la sonda a la superficie de la oblea, y el ajuste de la muestra puede realizarse sin problemas. La plataforma, que permite montar múltiples detectores y láseres, permite seleccionar el detector óptimo para realizar diversos métodos de análisis, como el análisis de emisión de luz y generación de calor, el análisis IR-OBIRCH y otros; además, permite realizar análisis dinámicos de forma eficiente mediante la conexión de probadores.
●iPHEMOS-DD
Mediante la conexión directa al probador de LSI, el retraso de la señal debido a la longitud del cable de conexión se puede reducir, y el análisis de las muestras de conducción de alta velocidad es posible. El prober dedicado de acoplamiento directo permite la fijación de agujas de múltiples pines en obleas de 300 mm y con la opción adicional, es posible realizar el análisis del paquete, así como la fijación de agujas de pines por un manipulador.
Características
- Dos cámaras de altísima sensibilidad montables para el análisis de emisiones y el análisis térmico
- Se pueden montar láseres de hasta 3 longitudes de onda y una fuente de luz de sonda para EOP
- Multiplataforma capaz de montar múltiples detectores
- Objetivo macro de alta sensibilidad y hasta 10 objetivos adecuados para cada longitud de onda de sensibilidad del detector
Opciones
- Incluye sistema de exploración láser
- Análisis de emisión con cámara de infrarrojo cercano de alta sensibilidad
- Análisis térmico con cámara de infrarrojo medio de alta sensibilidad
- Análisis IR-OBIRCH
- Análisis dinámico por irradiación láser
- Análisis de sondeo EO
- Análisis de alta resolución y alta sensibilidad mediante NanoLens
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