Microscopio infrarrojo C10506-06-16

de inspeccióninvertidoinfrarrojo cercano

El microscopio de emisión invertido es un sistema de análisis de la cara posterior diseñado para identificar las ubicaciones de los fallos mediante la detección de la luz y el calor emitidos por los defectos de los dispositivos semiconductores. La detección de la señal de la parte trasera facilita el uso de la tarjeta de sondeo y de la sonda a la superficie de la oblea, y el ajuste de la muestra puede realizarse sin problemas. La plataforma, que permite montar múltiples detectores y láseres, permite seleccionar el detector óptimo para realizar diversos métodos de análisis, como el análisis de emisión de luz y generación de calor, el análisis IR-OBIRCH y otros; además, permite realizar análisis dinámicos de forma eficiente mediante la conexión de probadores. ●iPHEMOS-MP Soporte para la medición de un solo chip a una oblea mediante el montaje de un prober de oblea de 300 mm. Contacto de aguja multipolar por tarjeta de sonda y observación de muestras en placa de PC están disponibles. También es posible el análisis dinámico con accionamiento del probador LSI por conexión de cable. Características - Dos cámaras de ultra alta sensibilidad que se pueden montar para el análisis de emisiones y el análisis térmico - Se pueden montar láseres de hasta 3 longitudes de onda y una fuente de luz de sonda para EOP - Multiplataforma capaz de montar múltiples detectores - Objetivo macro de alta sensibilidad y hasta 10 objetivos adecuados para cada longitud de onda de sensibilidad del detector Opciones - Incluye sistema de exploración láser - Análisis de emisión con cámara de infrarrojo cercano de alta sensibilidad - Análisis térmico con cámara de infrarrojo medio de alta sensibilidad - Análisis IR-OBIRCH - Análisis dinámico por irradiación láser - Análisis de sondeo EO - Análisis de alta resolución y alta sensibilidad mediante NanoLens - Conecta con la navegación CAD - Conecta con el probador LSI