Fotodiodo InGaAs G12183-210KA-03
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Fotodiodo InGaAs - G12183-210KA-03 - HAMAMATSU - PIN
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Características

Especificaciones
InGaAs
Montaje
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Descripción

Tipo de longitud de onda larga (longitud de onda de corte: 2,55 μm) Características - Longitud de onda de corte: 2,55 μm - Refrigeración TE de dos etapas - Bajo coste - Área fotosensible: φ1 mm - Bajo nivel de ruido - Alta sensibilidad - Alta fiabilidad - Respuesta de alta velocidad - Alta sensibilidad de longitud de onda corta: 0,4 A/W (λ=900 nm) Especificaciones Área fotosensible : φ1,0 mm Número de elementos : 1 Embalaje : Metal Categoría de embalaje: TO-66 Refrigeración : Refrigeración TE de dos etapas Rango de respuesta espectral : 0,9 a 2,55 μm Longitud de onda de máxima sensibilidad (típica): 2,3 μm Fotosensibilidad (típica): 1,3 A/W Corriente oscura (máx.) : 100 nA Frecuencia de corte (típica) : 4 MHz Capacidad de los terminales (típica) : 500 pF Potencia equivalente de ruido (típ.) : 2×10-13 W/Hz1/2 Condiciones de medición : Típico. Tc=-20 ℃, salvo indicación contraria, Fotosensibilidad: λ=λp, Corriente oscura: VR=10 mV, Frecuencia de corte: VR=0 V, RL=50 Ω, Capacidad de los terminales: VR=0 V, f=1 MHz

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* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.