Fotodiodo de silicio S1114 series

Fotodiodos para la detección de haces de electrones Fotodiodos para la detección de electrones retrodispersados en microscopios electrónicos de barrido (SEM). S11141-10 Alta sensibilidad, detección directa de haces de electrones de baja energía (1 keV o más) Características -Detección directa de haces de electrones de baja energía (1 keV o más) con alta sensibilidad -Alta ganancia: 300 veces alta eficiencia de detección: 72 % (energía de electrones incidente: 1,5 keV) -Gran área fotosensible: 10 × 10 mm -agujero de φ2,0 mm en el centro del área fotosensible -Paquete cerámico delgado -Utiliza un tablero de cableado hecho de materiales menos magnéticos S11142-10 Alta sensibilidad, detección directa de haces de electrones de baja energía (1 keV o más) Características -Detección directa de haces de electrones de baja energía (1 keV o más) con alta sensibilidad -Alta ganancia: 300 veces alta eficiencia de detección: 72 % (energía de electrones incidente: 1,5 keV) -Gran área fotosensible: 14 × 14 mm -agujero de φ2,0 mm en el centro del área fotosensible -fotodiodo de 4 elementos -Envase cerámico delgado -Utiliza un tablero de cableado hecho de materiales menos magnéticos