Módulo fotodiodo de avalancha (APD) S2384

Funcionamiento de bajo sesgo, para la banda de 800 nm - Funcionamiento estable a baja polarización - Respuesta de alta velocidad - Alta sensibilidad y bajo ruido Tipo : Tipo de infrarrojo cercano (Operación de bajo sesgo) Área fotosensible : φ3 mm Envase : Metal Categoría de embalaje: TO-5 Longitud de onda de máxima sensibilidad (típica): 800 nm Rango de respuesta espectral : 400 a 1000 nm Fotosensibilidad (típica): 0,5 A/W Corriente oscura (máx.) : 10 nA Frecuencia de corte (típica) : 120 MHz Capacidad de los terminales (típica) : 40 pF Tensión de ruptura (típ.) : 150 V Coeficiente de temperatura de la tensión de ruptura (típ.) : 0,65 V/℃ Ganancia (typ.) : 60 Condición de medición : Típico. Ta=25 ℃, a menos que se indique lo contrario, Fotosensibilidad: λ=800 nm, M=1