El PHEMOS-X es un microscopio de emisión de alta resolución que localiza fallos en dispositivos semiconductores detectando las débiles emisiones de luz y calor causadas por los defectos.
Se pueden montar dos cámaras de sensibilidad ultraalta
La cobertura de diferentes rangos de longitudes de onda de detección para el análisis de emisiones y el análisis térmico permite seleccionar fácilmente una técnica de análisis que se ajuste a la muestra y al modo de fallo.
Se pueden montar hasta 5 fuentes de luz para OBIRCH, DALS y EOP
Platina de alta precisión diseñada para dispositivos avanzados
El PHEMOS-X superpone la imagen de emisión a una imagen de patrón de alta resolución para localizar rápidamente los puntos defectuosos.
La función de mejora del contraste hace que la imagen sea más clara y detallada.
Función de visualización
Anotaciones: Comentarios, flechas y otros indicadores se pueden mostrar en una imagen en cualquier lugar deseado.
Visualización de la escala: La anchura de la escala puede visualizarse en la imagen mediante segmentos.
Visualización de la cuadrícula: La imagen puede mostrar líneas de cuadrícula verticales y horizontales.
Visualización de miniaturas: Las imágenes se pueden almacenar y recuperar como miniaturas, y se puede mostrar información de la imagen como las coordenadas del escenario.
Visualización en pantalla dividida: Las imágenes de patrón, las imágenes de emisión, las imágenes superpuestas y las imágenes de referencia pueden visualizarse a la vez en una pantalla de 6 ventanas.
---