Fotodiodo de silicio S series

de infrarrojosUV

Para UV a visible, fotometría de precisión; sensibilidad suprimida cerca del IR Características - Alta sensibilidad UV: QE＝75 % (λ=200 nm) - Sensibilidad suprimida en el IR cercano - Baja corriente oscura - Alta fiabilidad Especificaciones - Área fotosensible : 1,1 × 1,1 mm - Número de elementos : 1 - Embalaje : Metal - Categoría de embalaje: TO-18 - Refrigeración : No refrigerado - Tensión inversa (máx.) : 5 V - Rango de respuesta espectral : 320 a 1000 nm - Longitud de onda de máxima sensibilidad (típica) : 720 nm - Fotosensibilidad (típ.) : 0,36 A/W - Corriente oscura (máx.) : 2 pA - Tiempo de subida (típ.) : 0,15 μs - Capacidad del terminal (típ.) : 35 pF - Potencia equivalente de ruido (típ.) : 1,6×10-15 W/Hz1/2 - Condición de medición : Ta=25 ℃, Típ., Fotosensibilidad: λ=720 nm, Corriente oscura: VR=10 mV, Capacitancia terminal: VR=0 V, f=10 kHz, salvo indicación contraria