Transistor IGBT 5SN seriesde potenciade conmutación
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Características
- Tipo
- IGBT
- Tecnología
- de potencia, de conmutación
- Corriente
Mín.: 150 A
Máx.: 3.600 A
- Tensión
1.200 V, 1.700 V, 3.300 V, 4.500 V, 6.500 V
Descripción
Los módulos de potencia IGBT de Hitachi Energy están disponibles de 1700 a 6500 voltios como módulos IGBT sencillos, dobles / de pata de fase, de chopper y de diodo doble. Los módulos IGBT HiPak de alta potencia presentan bajas pérdidas combinadas con un rendimiento de conmutación suave y un área de funcionamiento seguro (SOA) récord. Los nuevos módulos IGBT de potencia media y conmutación rápida 62Pak y LoPak presentan las pérdidas de conmutación más bajas, un funcionamiento a 175 °C con una SOA cuadrada completa y un encapsulado estándar que permite la sustitución directa.
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Hyvolution 2025
28-30 ene. 2025 paris (Francia) Stand 6H30
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