Microscopio electrónico de barrido de emisión de campo SU8700
para análisisde piede emisión de campo Schottky

Microscopio electrónico de barrido de emisión de campo - SU8700 - Hitachi High-Tech Europe GmbH - para análisis / de pie / de emisión de campo Schottky
Microscopio electrónico de barrido de emisión de campo - SU8700 - Hitachi High-Tech Europe GmbH - para análisis / de pie / de emisión de campo Schottky
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Características

Tipo
electrónico de barrido de emisión de campo
Aplicaciones técnicas
para análisis
Configuración
de pie
Fuente de electrones
de emisión de campo Schottky
Tipo de detector
de electrones secundarios, de electronos retrodispersados, con detector de rayos X de dispersión de energía (EDS)
Otras características
automatizado, de barrido con presión variable, de resolución ultra alta
Aumento

Mín.: 20 unit

Máx.: 2.000.000 unit

Resolución espacial

0,8 nm, 0,9 nm

Descripción

El SU8700 introduce una nueva era de microscopios electrónicos de barrido de emisión de campo Schottky de ultra alta resolución en la gama de microscopios electrónicos de Hitachi. Esta revolucionaria plataforma FE-SEM incorpora imágenes multifacéticas, alta corriente de sonda, automatización, flujos de trabajo eficientes para usuarios de todos los niveles de experiencia y mucho más. Ultra alta resolución La fuente de emisión de campo frío de alto brillo de Hitachi proporciona imágenes de resolución ultraalta incluso a voltajes ultrabajos. Izquierda: Partícula de zeolita tipo RHO a bajo kV. Para revelar la fina estructura escalonada de la superficie, la imagen se adquirió a 0,8 kV de tensión de aterrizaje. Esto permite que la estructura muy fina de los escalones de la superficie sea claramente visible (imagen de la derecha). Un sistema de detección inteligente para imágenes de EEB de bajo voltaje Imagen de sección transversal de NAND 3D; La capa de óxido y la capa de nitruro del condensador se distinguen fácilmente en la imagen gracias a la capacidad de detección de BSE. Captura rápida de imágenes de EEB: nuevo BSED de tipo cristal fuera de columna (OCD) Utilizando el nuevo BSED de tipo cristal fuera de columna (OCD)*, el tiempo de adquisición de la imagen fue inferior a UN SEGUNDO, aunque la interconexión de la capa inferior y la estructura Fin FET de la SRAM son claramente visibles.

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* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.