El sistema de haz de iones focalizados de alto rendimiento MI4050 está equipado con una nueva óptica y proporciona una resolución de imagen SIM líder en el mundo y una preparación de muestras TEM de alta definición con una resolución de imagen mejorada a bajo kV. El MI4050 se adapta a una gran variedad de aplicaciones, como la observación de secciones transversales, la modificación de circuitos, el procesamiento de escaneado vectorial, el nano-micropatterizado, el nano-moldeo y la nano-fabricación 3D mediante la función de deposición.
Tiempo de procesamiento muy reducido gracias a la gran corriente de sonda (corriente de sonda máxima de 90 nA)
Procesado transversal de la unión por hilo (Tamaño de procesado: An: 95 µm, F: 55 µm; Tiempo de mecanizado: 20 min)
Preparación de muestras TEM de daño ultrabajo mediante procesamiento a bajo kV (0,5 kV o superior) y resolución de imagen de electrones secundarios mejorada a bajo kV
*Menos de 1 kV es opcional
Platina mecánica eucéntrica motorizada de 5 ejes de alta precisión
La platina eucéntrica permite al usuario especificar las coordenadas con mayor precisión para obtener una alineación más fina para la obtención de imágenes y la preparación de muestras TEM de procesamiento continuo.
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