Módulo de memoria DRAM RDIMM

DDR5

Próximo nivel de rendimiento para Big Data e IA Módulo avanzado Tras haber lanzado la primera DRAM DDR5 del mundo, SK hynix presenta módulos RDIMM en capacidades de 16-256 GB basados en DDR5 de 16 Gb o 24 Gb, con sustanciales mejoras de rendimiento respecto a los RDIMM DDR4 que lideran la próxima generación de soluciones de módulos de memoria. Mayor ancho de banda, velocidades más rápidas Nuestros módulos RDIMM DDR5 de 16 Gb o 24 Gb aumentan el ancho de banda efectivo en un 70% con respecto a DDR4, a la vez que permiten velocidades de datos que parten de los 5.600 Mbps y llegan más allá de los 6.400 Mbps, alcanzando en última instancia una mejora de la velocidad de más del doble. Estas mejoras reducen el número de servidores necesarios para el mismo nivel de rendimiento del sistema y permiten un funcionamiento más ecológico de los centros de datos, tal y como pretende la visión Memory ForEST* de SK hynix. Arquitectura DRAM de doble subcanal Con una estructura de doble subcanal, DDR5 RDIMM aumenta el número de pines CA (Command-Address) a siete buses CA de doble velocidad de datos cada uno desde el host a RCD y 14 buses de velocidad de datos única cada uno en RCD a DRAM. Al disponer de dos canales independientes de 40 bits, se consigue el doble de ancho de banda y una mayor eficiencia del bus (señal) en comparación con un DIMM DDR4 de un solo canal.