Módulo de memoria DRAM H58G76BK8HX095N

Módulo de memoria DRAM - H58G76BK8HX095N - Hynix
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Características

Tipo
DRAM
Memoria

16 GB

Descripción

Alta velocidad y bajo consumo para móviles Diversa y ubicua La amplia cartera de DRAM de bajo consumo de SK hynix, que incluye LPDDR4 y LPDDR4X, se encuentra no sólo en los teléfonos inteligentes, sino también en el amplio espectro de la electrónica de consumo, desde cámaras digitales hasta dispositivos portátiles de juego y navegación, e incluso sistemas de infoentretenimiento y sistemas avanzados de asistencia al conductor para automóviles. Adaptable a las necesidades del dispositivo LPDDR4 y LPDDR4X se presentan en una versátil gama de paquetes de dos canales con densidades de matriz de 4 a 24 Gb, que pueden seleccionarse y configurarse para adaptarse a las necesidades de cada cliente. Ahorro sustancial de energía Con operaciones de E/S más eficientes, LPDDR4X puede funcionar con sólo el 55% de la energía que necesita LPDDR4, lo que supone un ahorro energético del 45%.

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* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.