Módulo de memoria DRAM H9JKNNNFB3AECR-N6H

Módulo de memoria DRAM - H9JKNNNFB3AECR-N6H - Hynix
Módulo de memoria DRAM - H9JKNNNFB3AECR-N6H - Hynix
Módulo de memoria DRAM - H9JKNNNFB3AECR-N6H - Hynix - imagen - 2
Añadir a mis favoritos
Añadir al comparador
 

Características

Tipo
DRAM
Memoria

12 GB, 16 GB, 18 GB

Descripción

Factor de forma pequeño, bajo consumo y eficiencia energética Avances de bajo consumo A medida que las marcas de teléfonos empiezan a adoptar LPDDR5 como el nuevo estándar, SK hynix presenta LPDDR5 como su principal oferta con 18 GB de capacidad y 6.400 Mbps de velocidad de transferencia. Utilizando 1,05V de potencia, incluso menos que los 1,1V de LPDDR4X, nuestra LPDDR5 es la solución perfecta para smartphones con DRAM de 8GB,12GB y 18GB, actualmente las capacidades más populares en el mercado de gama alta. 2 veces mayor escalabilidad LPDDR5 tiene 16 bancos, dos veces más que los 8 bancos de LPDDR4, lo que le permite ejecutar el doble de operaciones en un solo ciclo y funcionar a una velocidad dos veces más rápida de 6.400 Mbps. Alta eficiencia energética LPDDR5 consume 1,05 V de tensión de alimentación, un 20% menos que los 1,1 V que necesita LPDDR4X.

---

Catálogos

No hay ningún catálogo disponible para este producto.

Ver todos los catálogos de Hynix
* Los precios no incluyen impuestos, gastos de entrega ni derechos de exportación. Tampoco incluyen gastos de instalación o de puesta en marcha. Los precios se dan a título indicativo y pueden cambiar en función del país, del coste de las materias primas y de los tipos de cambio.