Módulo de memoria HBM3E

HBM3E sigue liderando el mercado de IA SK hynix ha lanzado HBM3E para consolidar su liderazgo sin rival en el mercado de las memorias de IA tras el éxito de HBM3. La versión ampliada de HBM3 ayuda a acelerar el giro comercial con su suministro tras la mayor escala de producción en masa de HBM del sector. resistencia térmica y eficiencia energética mejoradas en un 10 SK hynix fue la primera en desarrollar la tecnología de empaquetado MR-MUF (Mass Reflow-Molded Underfill). Esta técnica, que une los chips mediante reflujo al tiempo que rellena los huecos con material líquido, es fundamental para el desarrollo de los HBM de alta conductividad térmica. Junto con la tecnología de control de chips, no sólo se evita el alabeo de las obleas, sino que se ha añadido un nuevo material de relleno para disipar mejor el calor. El MR-MUF avanzado ha mejorado la disipación de calor del HBM3E en un 10% en comparación con la generación anterior, mientras que la eficiencia energética también ha mejorado en un 10%. capacidad y ancho de banda x1,5 con el mismo tamaño de encapsulado HBM3E proporciona una capacidad máxima de 36 GB y una velocidad máxima de datos por pin de 9,2 Gbps, con un ancho de banda máximo superior a 1,18 TB por segundo, lo que supone una mejora de 1,4 veces en comparación con HBM3, tanto en términos de capacidad como de ancho de banda.