Transistor MOSFET IPD900P06NM
de potenciade conmutaciónde avalancha

transistor MOSFET
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Características

Tipo
MOSFET
Tecnología
de potencia, de conmutación
Otras características
de avalancha, para las técnicas automóviles
Corriente

-16,4 A

Tensión

-60 V

Descripción

MOSFET de canal P en nivel normal y lógico, que reducen la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia OptiMOS™ MOSFETs de canal P 60V en encapsulado DPAK representa la nueva tecnología dirigida a aplicaciones de gestión de baterías, conmutación de carga y protección contra polaridad inversa. La principal ventaja de un dispositivo de canal P es la reducción de la complejidad del diseño en aplicaciones de media y baja potencia. Su fácil interfaz con la MCU, su rápida conmutación y su resistencia a las avalanchas lo hacen adecuado para aplicaciones exigentes de alta calidad. Está disponible en nivel normal y lógico, presenta un amplio rango RDS(on) y mejora la eficiencia con cargas bajas gracias a su bajo Qg. Resumen de características: Amplio rango RDS(on) Disponibilidad en nivel normal y lógico Ventajas: Fácil interfaz con MCU Eficiencia mejorada con cargas bajas gracias al bajo Qg Conmutación rápida Resistencia a la avalancha Aplicaciones potenciales Batería Consumo Automatización industrial Accionamientos industriales

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Catálogos

IPD900P06NM
IPD900P06NM
10 Páginas

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