Transistor MOSFET IPAN60R180P7S

de potenciade conmutación

El MOSFET de superunión CoolMOS™ P7 de 600 V es el sucesor de la serie CoolMOS™ P6 de 600 V. Sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. El mejor RonxA de su clase y la inherente baja carga de puerta (QG) de la plataforma CoolMOS™ de 7ª generación garantizan su alta eficiencia. Resumen de características: Eficiencia 600V P7 permite una excelente FOM RDS(on)xEoss y RDS(on)xQG Facilidad de uso Diodo ESD integrado a partir de 180mN RDS(on)s Resistencia de puerta RG integrada Diodo de cuerpo robusto Amplia gama de productos en encapsulados con orificios pasantes y de montaje en superficie Disponibles piezas de calidad estándar e industrial Ventajas: Eficiencia Las excelentes FOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss permiten una mayor eficiencia Facilidad de uso Facilidad de uso en entornos de fabricación al impedir que se produzcan fallos ESD El RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET El MOSFET es adecuado para topologías de conmutación dura y resonante como PFC y LLC Excelente robustez durante la conmutación dura del diodo de cuerpo que se observa en la topología LLC Adecuado para una amplia variedad de aplicaciones finales y potencias de salida Piezas disponibles adecuadas para aplicaciones industriales y de consumo Aplicaciones potenciales Fuente de alimentación para TV SMPS industrial Servidor Telecomunicaciones Iluminación