Transistor MOSFET BSC021N08NS5

de potenciade audio

Los MOSFETs OptiMOS™ BiC de Infineon en encapsulado SuperSO8 amplían la cartera de productos OptiMOS™ 3 y 5 y permiten una mayor densidad de potencia además de una robustez mejorada, respondiendo a la necesidad de un menor coste del sistema y un mayor rendimiento. La baja carga de recuperación inversa (Qrr) mejora la fiabilidad del sistema al proporcionar una reducción significativa del sobreimpulso de tensión, lo que minimiza la necesidad de circuitos snubber, lo que se traduce en un menor coste y esfuerzo de ingeniería. Características principales El RDS(on) más bajo permite la mayor densidad de potencia y eficiencia Mayor temperatura de funcionamiento hasta 175°C para una mayor fiabilidad Bajo RthJC para un excelente comportamiento térmico Menor carga de recuperación inversa (Qrr) Principales ventajas Menor temperatura a plena carga Menor paralelismo Reducción del sobreimpulso Mayor densidad de potencia del sistema Menor tamaño Reducción de los costes del sistema Reducción de los costes y esfuerzos de ingeniería Aplicaciones objetivo Servidor Telecomunicaciones Herramientas eléctricas Accionamientos de baja tensión Aplicaciones de audio de clase D