Transistor MOSFET BSC007N04LS6
de potenciade conmutaciónpor resistencia

Transistor MOSFET - BSC007N04LS6 - Infineon Technologies AG - de potencia / de conmutación / por resistencia
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Características

Tipo
MOSFET
Tecnología
de potencia, de conmutación
Otras características
por resistencia
Corriente

381 A

Tensión

40 V

Descripción

La familia de MOSFET de potencia OptiMOS™ 6 está optimizada para una gran variedad de aplicaciones y circuitos, como la rectificación síncrona en fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) de servidores, PC de sobremesa, cargadores inalámbricos, cargadores rápidos y circuitos ORing. Las mejoras en la resistencia en estado encendido (RDS(on)) y la figura de méritos (FOM - RDS(on) x Qg y Qgd) permiten a los diseñadores aumentar la eficiencia, facilitando el diseño térmico y reduciendo el paralelismo, lo que se traduce en una reducción del coste del sistema. Características principales En comparación con productos alternativos: RDS(on) reducido en un 30 Mejora de la FOM Qg x RDS(on) en un 29% Mejora de la FOM Qgd x RDS(on) en un 46 Optimizado para rectificación síncrona Adecuado para circuitos ORing Cumple la directiva RoHS - sin halógenos Clasificación MSL1 Principales ventajas Máxima eficiencia del sistema Menor necesidad de conexión en paralelo Mayor densidad de potencia Sobreimpulso de tensión muy bajo Menor necesidad de circuito amortiguador Reducción del coste del sistema Aplicaciones SMPS Servidor Telecomunicaciones Cargador Accionamientos Multicóptero Carga inalámbrica

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